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射頻芯片：工作在射頻頻段的芯片，實現信號的濾波、放大、射頻轉換、調制/解調等功能，通常包含低噪聲放大器、功率放大器等。
國博電子射頻芯片主要包括射頻放大類芯片、射頻控制類芯片，廣泛應用于移動通信基站等通信系統。
低噪聲放大器
低噪聲放大器采用0.15μm、0.25μm或0.5μm的GaAs pHEMT工藝，具有噪聲低、增益高等特點。在通信系統中用于將接收自天線的信號放大，以便于后級的電子設備處理。廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。
功率放大器
功率放大器采用高性能InGaP/GaAs異質結雙極性晶體管工藝，滿足了用戶在DC~6.0GHz范圍內，不同增益、輸出功率、以及電流的要求。主要用于將調制振蕩電路所產生的射頻信號功率放大后輸出到天線上輻射出去。廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。
開關
開關產品包括多種制式開關(nPnT)，可覆蓋DC~6.0GHz。其中射頻開關采用SOI、GaAs工藝，主要用于通信系統中多通道、多制式或者收發之間的信道切換，具有插入損耗低、隔離度高、可靠性高等特點。大功率開關采用Si基PIN工藝，主要用于大功率射頻信號通路的導通和截止控制，具有大功率信號通路切換和保護小功率器件免于損傷損毀的功能。開關產品廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。
數控衰減器
射頻數字衰減器采用SOI、GaAs工藝，以串/并行口信號控制，在DC~6.0GHz范圍內具有低功耗、低插損的特點。主要用于控制微波信號幅度，實現對信號的定量衰減。廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。
低噪聲放大器
低噪聲放大器采用0.15μm、0.25μm或0.5μm的GaAs pHEMT工藝，具有噪聲低、增益高等特點。在通信系統中用于將接收自天線的信號放大，以便于后級的電子設備處理。廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。
功率放大器
功率放大器采用高性能InGaP/GaAs異質結雙極性晶體管工藝，滿足了用戶在DC~6.0GHz范圍內，不同增益、輸出功率、以及電流的要求。主要用于將調制振蕩電路所產生的射頻信號功率放大后輸出到天線上輻射出去。廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。
開關
開關產品包括多種制式開關(nPnT)，可覆蓋DC~6.0GHz。其中射頻開關采用SOI、GaAs工藝，主要用于通信系統中多通道、多制式或者收發之間的信道切換，具有插入損耗低、隔離度高、可靠性高等特點。大功率開關采用Si基PIN工藝，主要用于大功率射頻信號通路的導通和截止控制，具有大功率信號通路切換和保護小功率器件免于損傷損毀的功能。開關產品廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。
數控衰減器
射頻數字衰減器采用SOI、GaAs工藝，以串/并行口信號控制，在DC~6.0GHz范圍內具有低功耗、低插損的特點。主要用于控制微波信號幅度，實現對信號的定量衰減。廣泛應用于4G、5G通信系統基站、微基站、移動終端及無線接入等設備中。